Sintered Silicon Carbide (SSiC) ក្បឿង Hexgonal

Sintered silicon carbide (SSiC) hexgonal tile is processed by pressureless sintered from high-purity silicon carbide powder in the vacuum furnace at សីតុណ្ហភាព 2100 ° C - 2200 °.ជាមួយនឹងដំណើរការមេកានិកកម្រិតខ្ពស់ ធន់នឹងការប៉ះទង្គិចខ្លាំង សីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ពិសេសរួមបញ្ចូលគ្នាជាមួយបន្ទះកៅស៊ូជាបន្ទះពាក់ធន់នឹងសំណឹកខ្លាំង ឬជាសមាសធាតុម៉ាស៊ីនដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ដូចជា ស្នប់ ដៃអាវ ចិញ្ចៀនត្រា ក្បាលបូម ប៊ូស ជាដើម។